අදියර පාලන තයිරිස්ටරය (මිශ්ර ලෝහ වර්ගය)

විස්තර:

Thyristor, Silicon Control Rectifier (SCR) ලෙසද හැඳින්වේ, PN ව්‍යුහ තුනකින් සමන්විත අධි බලැති අර්ධ සන්නායක උපාංගයකි.කාර්ය සාධනය සම්බන්ධයෙන් ගත් කල, තයිරිස්ටරයට ඒක දිශාභිමුඛ සන්නායකතාවය පමණක් නොව, සිලිකන් සෘජුකාරක මූලද්‍රව්‍යයට වඩා වටිනා පාලන හැකියාවක් ඇත, එය සන්නායක සහ ඕෆ්-ස්ටේට් යන අවස්ථා දෙකක් පමණක් වන අතර, කුඩා බලයකින් විශාල බලයක් පාලනය කිරීමට, සිය ගණනක් දක්වා බලය විස්තාරණය කිරීමට හෝ දහස් වාරයක්.ප්‍රතික්‍රියාව ඉතා වේගවත් වන අතර, ක්ෂුද්‍ර තත්පර කිහිපයකින් ක්‍රියාත්මක සහ අක්‍රිය වේ.ස්පර්ශ නොවන ක්‍රියාකාරිත්වය, ගිනි පුපුරක් නැත, ශබ්දයක් නැත, අතර ඉහළ කාර්යක්ෂමතාව සහ අඩු පිරිවැය.එබැවින්, විශේෂයෙන්ම අධි බල සැපයුම් පද්ධතිය තුළ, තයිරිස්ටරය සෘජුකාරක පරිපථය, ස්ථිතික බයිපාස් ස්විචය, සම්බන්ධතා රහිත ප්රතිදාන ස්විචය සහ අනෙකුත් පරිපථවල බහුලව භාවිතා වේ.

RUNAU ඉලෙක්ට්‍රොනික්ස් හි තයිරිස්ටර නිෂ්පාදන ප්‍රමිතිය සහ සැකසුම් තාක්‍ෂණය 1980 දශකයේ සිට ඇමරිකා එක්සත් ජනපදයෙන් හඳුන්වා දෙන ලදී, චීනයේ තයිරිස්ටර නිෂ්පාදනයේ පුරෝගාමියෙකු ලෙස, RUNAU හි තාක්ෂණික කණ්ඩායම වසර 30 කට වැඩි කාලයක් තිස්සේ අති නවීන දැනුමක් සහ ප්‍රමාණවත් නිෂ්පාදන අත්දැකීම් ලබාගෙන ඇත.සාම්ප්‍රදායික නිෂ්පාදන ක්‍රියාවලියේ මූලික පදනම මත, RUNAU ඉලෙක්ට්‍රොනික්ස් හි දක්ෂතා ශිල්පීන් යුරෝපීය නිෂ්පාදනවල වාසිදායක ලක්ෂණ සමඟ තයිරිස්ටර නිෂ්පාදනය කිරීමේ රාජ්‍ය තාක්‍ෂණය දියුණු කර ඇත, ගුණාත්මකභාවය සහ ක්‍රියාකාරිත්වය බෙහෙවින් වැඩි දියුණු කර ඇත, බලශක්ති ඉලෙක්ට්‍රොනික භාවිතයේදී විශාල ජයග්‍රහණ ලබා ඇත. ක්ෂේත්‍ර, සහ හවුල්කරුවන් සඳහා වැඩි වටිනාකමක් නිර්මාණය කරන ලදී.

හැදින්වීම:

1. චිප්

RUNAU ඉලෙක්ට්‍රොනික්ස් විසින් නිෂ්පාදනය කරන ලද තයිරිස්ටර චිපය සින්ටර් කරන ලද මිශ්‍ර කිරීමේ තාක්ෂණය භාවිතා කරයි.සිලිකන් සහ molybdenum වේෆර් ඉහළ රික්තක සහ ඉහළ උෂ්ණත්ව පරිසරයක් යටතේ පිරිසිදු ඇලුමිනියම් (99.999%) මගින් මිශ්‍ර කිරීම සඳහා සින්ටර් කර ඇත.තයිරිස්ටරයේ ගුණාත්මක භාවයට බලපාන ප්රධාන සාධකය වන්නේ සින්ටර් කිරීමේ ලක්ෂණ පාලනය කිරීමයි.RUNAU ඉලෙක්ට්‍රොනික්ස් හි මිශ්‍ර ලෝහ හන්දි ගැඹුර, මතුපිට සමතලා බව, මිශ්‍ර ලෝහ කුහරය මෙන්ම පූර්ණ විසරණ කුසලතාව, මැද ද්වාරය, මුදු කව රටාව කළමනාකරණය කිරීමට අමතරව තයිරිස්ටරයේ විශ්වාසනීය සහ ඉහළ කාර්යක්ෂම සන්නායක ක්‍රියාකාරිත්වය සක්‍රීය කිරීම සඳහා යොදන ලදී. උසස් තත්ත්වයේ කාර්ය සාධනය සහතික කිරීම.

2. කැප්සියුලේෂන්

molybdenum වේෆර් සහ බාහිර පැකේජයේ සමතලා බව සහ සමාන්තර බව දැඩි ලෙස පාලනය කිරීම මගින් චිප් සහ molybdenum වේෆරය බාහිර පැකේජය සමඟ තදින් සහ සම්පුර්ණයෙන්ම ඒකාබද්ධ කෙරේ.එවැන්නක් සර්ජ් ධාරාවේ සහ ඉහළ කෙටි පරිපථ ධාරාවේ ප්‍රතිරෝධය ප්‍රශස්ත කරනු ඇත.සිලිකන් වේෆර් මතුපිට ඝන ඇලුමිනියම් පටලයක් නිර්මාණය කිරීම සඳහා ඉලෙක්ට්‍රෝන වාෂ්පීකරණ තාක්‍ෂණය මැනීම භාවිතා කරන අතර, මොලිබ්ඩිනම් මතුපිටින් ආලේප කර ඇති රූතේනියම් තට්ටුව තාප තෙහෙට්ටුවට ප්‍රතිරෝධය බෙහෙවින් වැඩි කරයි, තයිරිස්ටරයේ වැඩ කරන කාලය සැලකිය යුතු ලෙස වැඩි වේ.

තාක්ෂණික පිරිවිතර

1. RUNAU ඉලෙක්ට්‍රොනික්ස් විසින් නිෂ්පාදනය කරන ලද මිශ්‍ර ලෝහ චිපයක් සහිත අදියර පාලනය කරන ලද තයිරිස්ටරය, I පරාසය_TAV300A සිට 6000A දක්වා සහ V_DRM/V_RRM800V සිට 4400V දක්වා.
2. I_GT, වී_GTසහ මම_H25℃ හි පරීක්ෂණ අගයන් වේ, වෙනත් ආකාරයකින් දක්වා නොමැති නම්, අනෙකුත් සියලු පරාමිති T යටතේ ඇති පරීක්ෂණ අගයන් වේ._jm;
3. I²t=අයි²F SM×tw/2, tw= Sinusoidal අර්ධ තරංග ධාරා පාදක පළල.50Hz දී, අයි²t=0.005I²FSM(ඒ²S);
4. 60Hz දී: I_FSM(මි.8.3)=අයි_FSM(මි.10)×1.066, ටී_j=T_j;මම²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

පරාමිතිය: